[22a-21C-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00

[22a-21C-5] AlN/SiN_x水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製

〇本田 啓人¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：

波長変換,窒化物半導体,光デバイス