講演情報
[22a-P04-16]イオン液体ゲートグラフェン電界効果トランジスタを用いた硝酸態窒素ガスセンシング
〇(M1)今泉 陵1、白石 直規2、魯 健3、木村 睦1 (1.信大繊維、2.農研機構、3.産総研)
キーワード：
イオン液体ゲートグラフェン電界効果トランジスタ,MEMS,ガスセンサ
グラフェンは高いキャリア移動度を持つことから、グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)ではグラフェン表面への吸着をピーク電圧値の変化によって高感度に追跡できる。さらにイオン液体を複合化したイオン液体ゲートGFET(ILGFET)では、低電圧での駆動が可能で、低濃度ガスセンサへの展開が期待されている。本研究では、ILGFETを用いた硝酸態窒素ガスへの応答を示すデバイスを報告する。