講演情報
[22p-13N-3]グラフェン装荷SiN導波路による光非線形効果の増強
〇(M1)堀池 拓未1,2、日達 研一1、石澤 淳3、高 磊4、徐 学俊1、相原 卓磨5、西川 正2、コン グァンウェイ4、山本 宗継4、山田 浩治4、眞田 治樹1、小栗 克弥1 (1.NTT物性研、2.東京電機大工、3.日大、4.産総研、5.NTT先デ研)
キーワード：
SiN導波路,非線形光学,光周波数コム
オンチップ光周波数コムの開発には、低パルスエネルギーでのスペクトル拡大が必要であり、Si導波路を用いてきたが、二光子吸収による帯域制限の課題があった。今回、二光子吸収のないSiN導波路にグラフェンを内部に埋め込む新しい構造を作製し、グラフェンの大きな非線形光学特性を利用してSiN導波路の非線形性を向上させた。実験の結果、グラフェンの長さに依存して短波長側でスペクトル帯域が拡がることが確認された。