本講演では，高性能なスピントロニクス材料として期待されるCo系ホイスラー合金(Co₂FeSiなど)と圧電体のヘテロ構造を作製することで，「電圧」印加によって磁化方向を制御する手法を紹介する．今回は圧電体としてPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMN-PT)に着目し， ~2 × 10^-5 s/mという巨大な磁気電気結合係数を得られた成果について，その発現メカニズムなどにも触れながら説明し，圧電体をスピントロニクスデバイスに応用する可能性について議論する．