講演情報
[23a-31B-4]MXene表面に対する炭素化合物の影響
〇小河 佑介1、川崎 聖治1、岡田 康明1 (1.株式会社村田製作所)
キーワード：
MXene,表面制御,仕事関数
MXeneは多様な組成と表面終端基（-F、-O、-OH等）に由来する物理特性により、幅広いデバイス応用が見込まれる。これら終端基はエッチングプロセスにより導入され、その影響と制御方法は既存研究で明示されている。ただし、実使用環境下でMXeneが表面終端基由来の静電相互作用により炭素化合物を吸着するため、これらの要素も考慮する必要がある。XPSは表面特性評価に有効な手段であり、一般的にArスパッタリングを利用して不純物を除去する。しかしながら、スパッタリング自体も元の表面状態を変える可能性がある。そこでガスクラスタイオンビーム(GCIB)がクリーニング方法として提案されており、この手法ならば少ない試料ダメージで炭素化合物だけを除去することができると期待される。本講演ではMXeneサンプルへGCIB処理適用後の除去効果と特性変化評価結果を報告する。