講演情報
[23p-12L-1]ZnSnP2のMBE成長への光照射の影響
〇住吉 壱心1、野瀬 嘉太郎1 (1.京大院工)
キーワード：
分子線エピタキシー,反射高速電子線回折,II-IV-V2族化合物半導体
ZnSnP2はSnとZn原子のdisorderingに伴い，格子定数変化を伴わずにバンドギャップが1 eV近く変化する特徴を持つ．これに際し最近我々は，Photo-assisted MBE法によるGaAs (001) 基板上へのZnSnP2のエピタキシャル成長を報告した．本研究では，RHEEDを用いて成長表面の結晶構造をその場観察することで，ZnSnP2のMBE成長に対してレーザー照射が与える影響を調査した．RHEEDパターンの時間依存性を観察することで，レーザー照射が成長表面上に生成した微結晶の拡散を促進する作用があると示唆された．