[23p-12L-1~10] 13.9 化合物太陽電池

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[23p-12L-10] Sn ターゲットと S プラズマの反応性スパッタリングによる SnS 薄膜の作製

〇(M1)茂田井 大輝¹、野上 大一¹、鈴木 一誓¹、小俣 孝久¹ (1.東北大)

キーワード：

硫化スズ,スパッタリング

硫化スズ（SnS）は新しい化合物太陽電池材料として期待されている。SnSの薄膜化では、蒸気圧の高い硫黄が欠損しやすい。SnS中の硫黄欠損に起因した欠陥は、開放電圧の向上やn型伝導性の発現を妨げることから、純粋で反応性の高い硫黄を供給することで硫黄欠損を低減する新しい成膜法の開発が望まれる。本研究では、金属Snのスパッタリングと、Sプラズマの供給を組み合わせた反応性スパッタにより、SnS薄膜を作製した。