[23p-12L-1~10] 13.9 化合物太陽電池

15:30 〜 15:45

[23p-12L-8] Cu(In,Ga)S₂における金属プリカーサ製膜工程に関する研究

〇鈴木 陽太¹、柴田 智樹¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東工大工)

キーワード：

薄膜太陽電池,Cu(In,Ga)S2

Cu(In,Ga)S₂ (CIGS)太陽電池はバンドギャップを1.7 eVに調整でき、タンデム太陽電池のトップセルへの応用が期待されている。一般的にCIGS太陽電池は、Cu-In-Ga金属プリカーサを硫化することで作製される。このプリカーサ作製時に100 μm程度の島状物質が観察されることがあり、太陽電池作製の際に漏れ電流の原因となる。本発表では、島状物質の抑制方法や生成条件について報告する。