講演情報

[23p-P01-6]耐環境性向上を目指した低 B 組成 BGaN 中性子検出器の作製と評価

〇工藤 涼兵1、櫻井 辰大1、小久保 瑛斗2、川崎 晟也2、都木 克之3、西澤 潤一3、岸下 徹一4、櫻井 良憲5、八島 浩5、牧野 高紘6、大島 武6、本田 善央7、天野 浩7、井上 翼1、青木 徹3、中野 貴之1,3 (1.静大院工、2.名大院工、3.静大電研、4.高エネ研、5.京大複合研、6.量研、7.名大IMaSS)

キーワード:

中性子,半導体,BGaN