講演情報
[24a-31A-7]アモルファスGaOxを用いた4端子クロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性
〇(M1)山下 真矢1、林 侑介1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
キーワード：
メモリスタ,シナプス,抵抗変化
これまでに我々は、脳型コンピュータにおける人工シナプス素子の開発に向けて、2端子素子では模倣が困難な高次シナプス特性を模倣するために、a-GaOxを用いた4端子平面型メモリスタ素子の開発を進めてきた。しかし平面構造であるが故に高度な集積化が困難であるという課題があった。そこで本研究では、集積性を念頭に置いて、a-GaOxを用いた4端子クロスバーアレイメモリスタ素子を作製し、その電気的特性を評価した。