講演情報
[24p-11F-4]シリコンナノ構造による高調波発生シミュレーション II
〇植本 光治1、木原 康輝1、松浦 豪介1、山田 俊介2 (1.神戸大工、2.量研)
キーワード：
全誘電体ナノ構造,第一原理,電子ダイナミクス
本研究では、半導体による全誘電体(all-dielectric)ナノ粒子やメタ表面の非線形光学特性を定量的に解析するため、時間領域有限差分法による電磁界シミュレーションと第一原理電子ダイナミクス計算を結合させたマルチスケール手法の開発を行っている。今回、同手法によりシリコンナノ構造の高強度レーザー場下における高調波発生のシミュレーションを行う。ナノ構造の形状パラメータによる高調波強度の依存性を調査し、ナノ構造のミー共鳴条件下による高調波増強が現れることや高調波の角度分布を明らかにした。