ダイヤモンド中のNV中心は，次世代の高感度高分解能センサとして期待されている．その感度の向上に向け，ダイヤ基板側面を利用して光取り出し効率を改善する試みが報告されている．これらの手法の改善には，基板側面の平坦化により，面粗さに起因した光散乱や表面電荷ノイズを除去する必要がある．今回，我々は，近接場光エッチングを用いて，基板側面の面粗さの低減とそれに伴う光取出し効率およびODMRスペクトルの改善に成功した．