講演情報
[24p-22C-9]真空共蒸着によるCsPbBr3/CsSnBr3/CsPbBr3ダブルヘテロ構造の作製
〇(M2)豊田 祥平1、劉 子豪1、楊 野牧1、五月女 真人2、松下 智紀2、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
キーワード：
ペロブスカイト型半導体
近年、金属ハライドペロブスカイト(ABX3)は、組成制御による幅広いバンドギャップの可変性、長い光キャリア寿命などから光電デバイスの材料として注目されている。これまでに我々は、Bサイト置換のダブルヘテロ構造(CsPbBr3/ CsSnBr3/ CsPbBr3)が長時間安定であり、Type-I QWとなることを報告した。本研究では、CsPbBr3/ CsSnBr3/ CsPbBr3のダブルヘテロ構造を様々なCsSnBr₃膜厚で作製し、その組成分布(XPS)、結晶性、光学特性を評価した。