講演情報
[24p-P01-2]光電子ホログラフィーを用いたMnドープBiFeO3薄膜の局所構造解析
〇(M1)有馬 知希1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1、大坂 藍1、橋本 由介2、山田 侑矢2、松下 智裕2 (1.兵庫県立大院工、2.奈良先端大)
キーワード：
強誘電体,ビスマスフェライト,光電子ホログラフィー
BiFeO3(BFO)は室温で強誘電性、反強磁性および強弾性を併せ持つマルチフェロイック材料の1つである。BFOは導電性が高く、自発分極の反転により導電性を変化させることができるため、強誘電性半導体として有力な材料である。BFOの導電性の制御には、酸素空孔の振る舞いが重要となる。本研究の目的は、軽元素を観測可能な光電子ホログラフィーを用いてMnドープBFO薄膜の局所構造を明らかにすることである。