[24p-P02-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

[24p-P02-11] 4-アミノ安息香酸を表面修飾したアモルファス炭素薄膜の電気化学特性評価

〇(B)平西 美穂¹、本道 由菜¹、青井 芳史¹ (1.龍谷大先端理工)

キーワード：

非晶質カーボン,表面修飾,電気化学

本研究では、4-アミノ安息香酸(4-ABA)修飾アモルファス炭素(𝑎-C)薄膜の電気化学的特性について検討した。電解酸化を用いて4-ABAを修飾したa-C薄膜電極のFe(CN)₆^3–/4–の酸化還元反応は溶液のpHに依存し、酸解離定数(pKa)よりpHが小さい場合はFe(CN)₆^3–/4–の電荷移動が阻害されにくく修飾層の影響は小さいが、pKaがpHより大きい場合、カルボキシ基の脱プロトン化によって、Fe(CN)₆^3–/4–の電荷移動が阻害されることが明らかとなった。