講演情報
[24p-P04-2]IR-SNOMを用いたVO2薄膜の金属－絶縁体相転移過程のナノスケールイメージング
〇金 庚民1、侯 林楓1、西田 純2、熊谷 崇2、阿部 真之1 (1.阪大基、2.分子研)
キーワード：
金属ー絶縁体相転移,バナジウム酸化物
VO2は室温付近で抵抗値が３〜４桁程度変化する金属–絶縁体相転移（MIT）を示す強相関酸化物であり、電気的・光学的機能素子をはじめとする各種デバイスへの応用が期待される。この特徴的な相転移では強い電子相関と単斜晶から正方晶への結晶構造の変化が複雑に絡み合っており、その微視的機構は完全には理解されいない。VO2の特徴的なナノスケールの相転移現象はデバイス設計の基礎となるが、その様子を実空間で直接観察した例はほぼない。本研究では、相転移ダイナミクス（最も初めに相転移が起こるドメインの特定、各ドメインの相転移が起こる順序、それらの表面構造との相関等）を明らかにするため、パルスレーザー法によりTiO2基板上にVO2薄膜をエピタキシャル成長させ、オペランドXRD測定及びIR-SNOM測定を行った。