AgInS₂ナノ粒子(AIS NP)は低毒性量子ドットであり、シェルの付与や配位子交換に伴いバンド端発光を示す。前回はホスフィン配位子がNP表面の非輻射サイトと欠陥発光サイトを逐次不動態化する作用を示すことを報告した。今回は詳細な機構を明らかにするべく、交換時の温度環境依存性を調査した。得られた知見から低温での交換が有効だと予想し、実施したところバンド端発光の相対強度が高いAIS NPが得られた。