講演情報
[24p-P06-1]バイアス光照射による薄膜タンデム太陽電池の各サブセルのI-V測定
〇稲葉 大陸1、伊坪 壮太1、宮下 直也1、曽我部 東馬1、岡田 至崇2、山口 浩一1 (1.電通大、2.東大先端研)
キーワード：
半導体,多接合太陽電池,エピタキシャルリフトオフ
多接合太陽電池の特性改善には各サブセルの電気特性の把握が不可欠である。2端子型多接合セルでは、サブセル毎のEQE測定やSR-V法などの分光感度の交流検出による評価が一般的であるが、電圧依存性を示すサブセルを含む場合、動作バイアスによる電流値の変動が無視できず適切なバイアス設定が困難である。本研究では、バイアス光による各サブセルの電流律速状態を制御することにより各サブセルの直流I-V特性を評価した。