[25a-11E-1~10] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[25a-11E-7] 室温テラヘルツ検出に向けたSOI 微小電気機械システム共振器の圧抵抗効果による振動検出構造の作製

〇飯森 未来¹、江端 一貴¹、竹内 遼太郎¹、諸橋 功²、前中 一介³、平川 一彦⁴、張 亜¹ (1.農工大工、2.情報通信研究機構、3.兵庫県立大、4.東大)

キーワード：

MEMS,テラヘルツ,センサー

我々は広帯域テラヘルツ検出器を実現するためSOI（silicon on insulator）基板によってMEMS共振器を作製した。本研究では、Spin-on Dopant(SOD)技術を用いて作製したピエゾ抵抗効果による振動検出部を有するSOI MEMS共振器について報告する。作製した共振器の振動振幅をピエゾ抵抗効果によって検出し、ピエゾ抵抗感度は3.2 ppm/nmと見積もられた。この結果は、SOI MEMSボロメーターの静電駆動や振動検出の実現に有効である。