[25a-P05-1~8] 16 非晶質・微結晶（ポスター）

[25a-P05-8] FLAによる非晶質シリコン膜のシリコン基板へのエピタキシャル成長

〇(M1)李 柏同¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

フラッシュランプアニール

シリコンウェハ上にCat-CVDにより形成したa-Si膜に対し、FLAを用いてAr雰囲気で瞬間熱処理を繰り返し行い、そのエピタキシャル成長を調査した。FLA照射回数の増加に伴い、エリプソメトリーで測定されるa-Si膜厚の低減が確認された。この結果は、a-Si/シリコンウェハ界面でのエピタキシャル成長の発現を示唆している可能性がある。