[25p-12K-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

15:45 〜 16:00

[25p-12K-9] SOI上のInAs /Siヘテロ接合トンネルFETの作製と評価

〇(M1)竹田 有輝¹、東 佑樹¹、鄭 子燁¹、本久 順一¹、冨岡 克広¹ (1.北海道大)

キーワード：

ナノワイヤ,トランジスタ,MOVPE