講演情報
[25p-1BC-2]高真空ケルビンプローブを用いた有機半導体のギャップ内準位測定
〇古川 侑生1、吉田 弘幸2,3 (1.千葉大院融合、2.千葉大院工、3.千葉大MCRC)
キーワード：
有機半導体,ギャップ内準位,ケルビンプローブ
有機半導体のギャップ内準位は、界面電子準位接続や電荷キャリアの挙動と直接関わる。本研究では、ケルビンプローブ法を用いて、仕事関数の膜厚依存性からバンドの曲がりを測定する。これを基に、これまでほとんど情報のない非占有ギャップ内準位の状態密度を導くことを目的とする。今回は、多結晶銀(Ag)と酸化モリブデン(MoO3)上に蒸着した代表的な電子伝導性（ｎ型）有機半導体PTCDAの測定結果について発表する。