[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[10a-A21-1] 深いn型コンタクト層を有するGaN光伝導型スイッチの作製と評価

〇桝本 亮¹、若本 裕介¹、磯 憲司²、中根 了昌¹、前田 拓也¹ (1.東大工、2.三菱ケミカル)

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