セッション詳細

[10a-A21-1~13]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:30
A21 (情報研究棟)

[10a-A21-1]深いn型コンタクト層を有するGaN光伝導型スイッチの作製と評価

〇桝本 亮1、若本 裕介1、磯 憲司2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.三菱ケミカル)

[10a-A21-2]GaN HEMTバッファトラップの低周波Y22実部に対するTCAD解析

〇大塚 友絢1、新井田 佳孝1、藤原 誠司1、中田 健1 (1.住友電工)

[10a-A21-3]PECVD-SiO2成膜に起因するGaN表面近傍電子トラップの評価

〇高岡 真成1、原 征大1、陳 強1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[10a-A21-4]m面上AlSiO/GaN界面に対するAlN層挿入の効果

〇高橋 尚伸1、赤澤 正道1、伊藤 健治2 (1.北大量集センター、2.名大IMaSS)

[10a-A21-5]AlSiOゲート酸化膜GaN MOSFETの高温正バイアスストレスによるしきい値電圧変動のSub-Eg光照射時の回復促進挙動

〇市川 雄基1、平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研究)

[10a-A21-6]ドレイン電流モデルによるAlSiO/AlN/p型GaN MOSFETの界面状態評価

〇高根 倫史1、成田 哲生1、伊藤 健治1,2、井口 紘子1、岩崎 四郎1、菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名大未来研)

[10a-A21-7]AlSiO/AlN/p型GaN MOSFETのMOS界面におけるキャリア捕獲に対するチャネル垂直電界の影響

〇高根 倫史1、成田 哲生1、伊藤 健治1,2、井口 紘子1、岩崎 四郎1、菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名大未来研)

[10a-A21-8]Nイオン注入起因GaN中Mgクラスターのp型伝導特性への影響

〇狩野 絵美1、石川 晃輔1、埋橋 淳2、角田 健輔1、成田 哲生3、堀田 昌宏1、佐橋 潤也1、Shun Lu1、須田 淳1、大久保 忠勝2、加地 徹1、五十嵐 信行1 (1.名大、2.物材機構、3.豊田中研)

[10a-A21-9]OVPE法によるMgイオン注入GaN大気圧活性化プロセスの高温化検討

〇横井 創吾1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、隅 智亮2、滝野 淳一2、岡山 芳央2、横山 正史3、秦 雅彦4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、丸山 美帆子1、吉村 政志6、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソ ニックホールディングス(株)、3.住友化学(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.名大未来研、6.阪大レーザー研)

[10a-A21-10]GaOx界面層中正孔トラップがp型GaNショットキー構造の電気特性に与える影響

〇坂居 瞭1、原 征大1、野﨑 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)

[10a-A21-11]低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行ったp型GaN層の浅い電子トラップ密度に対するNイオン連続注入の効果

〇岩瀬 友杜1、板倉 ほの香1、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[10a-A21-12]IMPATTダイオード構造におけるワイドコンタクト手法の開発とp-GaN層膜厚の最適化に関する研究

〇陳 天駒1、李 熙根1、伊藤 慎1、王 海涛4、塚本 涼子2、王 嘉2,3、本田 善央2,3、天野 浩2,3 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大IAR、4.名大D-センター)

[10a-A21-13]フーリエ変換DLTS法によるMBE成長p-GaNの深い欠陥評価

〇藤 友哉1、Peret Karolina2、Chlipala Mikolaj2、Turski Henryk2、前田 拓也1 (1.東大院工、2.ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所)