[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[10a-A21-10] GaO_x界面層中正孔トラップがp型GaNショットキー構造の電気特性に与える影響

〇坂居 瞭¹、原 征大¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

GaN、ショットキー接合、正孔トラップ