講演情報
[10a-A21-12]IMPATTダイオード構造におけるワイドコンタクト手法の開発とp-GaN層膜厚の最適化に関する研究
〇陳 天駒1、李 熙根1、伊藤 慎1、王 海涛4、塚本 涼子2、王 嘉2,3、本田 善央2,3、天野 浩2,3 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大IAR、4.名大D-センター)
キーワード：
GaN、IMPATTダイオード、PECエッチング
本講演では，GaN IMPATTダイオードの高出力化に向けた直列抵抗低減を目的として，PEC横方向選択エッチングによるワイドコンタクト構造を提案する。Silvaco ATLASによりワイドコンタクト幅とp-GaN膜厚が電流分布およびRonに与える影響を解析し，250～450 nm試料のI–V評価から，p-GaN膜厚最適化によりRonを最大約35％低減できることを示し，本構造の有効性を明らかにする。