[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:15 〜 12:30奨励賞エントリー

[10a-A21-13] フーリエ変換DLTS法によるMBE成長p-GaNの深い欠陥評価

〇藤 友哉¹、Peret Karolina²、Chlipala Mikolaj²、Turski Henryk²、前田 拓也¹ (1.東大院工、2.ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所)

キーワード：

窒化ガリウム（GaN）、点欠陥、DLTFS

GaN系光電子デバイスの特性理解や性能向上に向けて，キャリア捕獲や補償の要因となる深い準位の理解が必要である．MOVPE成長p-GaN中の欠陥は詳細に調べられているものの，MBE成長試料においては詳細な報告がない．そこで，n-GaN基板上にトンネル接合を用いたMBE成長p-GaN SBDを作製し，フーリエ変換型容量過渡分光法(DLTFS)を用いて深い欠陥を評価した．300 K-570 Kの範囲で3つの明瞭なピークが得られ，それぞれH_MBE1(E_V+0.60eV), H_MBE2(E_V+0.90eV), H_MBE3(E_v+1.2eV)として欠陥起源の考察を行った．