[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-A21-3] PECVD-SiO₂成膜に起因するGaN表面近傍電子トラップの評価

〇高岡 真成¹、原 征大¹、陳 強¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、深準位過渡分光法、ショットキー障壁ダイオード