[10a-A21-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00

[10a-A21-4] m面上AlSiO/GaN界面に対するAlN層挿入の効果

〇高橋 尚伸¹、赤澤 正道¹、伊藤 健治² (1.北大量集センター、2.名大IMaSS)

キーワード：

窒化ガリウム