[10a-A23-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:00 〜 9:15

[10a-A23-1] 高Al組成メタモルフィックInAlAs/GaAs(111)A上のInAs量子ドットの自己形成

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、Kulesh Nikita¹、Bolyachikin Anton¹、門平 卓也¹、石田 暢之¹、林 侑介¹、黒田 隆¹ (1.NIMS)

キーワード：

量子ドット、液滴エピタキシー、量子光源

我々は1.55ミクロン帯の高効率量子もつれ光子対発生を目的に、液滴エピタキシー法による(111)A面上のInAs量子ドットの自己形成に取り組んでいる。今回我々は、GaAs(111)A上に形成したメタモルフィックIn_0.76Al_0.24A上のInAs量子ドット自己形成（格子不整合1.6％）を試み、1.55ミクロン帯にピークをもつ明瞭な発光が観測したので報告する。