講演情報
[10a-A23-11]GaAs基板上の1.3 µm帯TypeⅡ量子井戸に対するInGaAsメタモルフィックバッファ層の挿入効果
〇井元 亮汰1、藤澤 剛2、鈴木 秀俊1、横山 宏有1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.法政大工)
キーワード：
半導体
メタモルフィックInGaAsバッファとType-II材料を組み合わせることで、GaAs基板上で問題となる格子歪による井戸数の制限を打破できると考え実験検討を行った。InGaAsバッファ導入により1.3 µm付近の量子井戸からのPL強度の上昇を確認した。