講演情報
[10a-A23-12]Si基板上のGaSb/AlGaSb多重量子井戸における発光スペクトルの温度消光に対する励起子分裂エネルギーの効果
〇王 聖傑1、小島 磨1、赤羽 浩一2 (1.千葉工大工、2.情通機構)
キーワード：
励起子、GaSb/AlGaSb多重量子井戸、温度消光
Si基板上のGaSb/AlGaSb多重量子井戸における発光スペクトルの温度依存性を測定したところ、井戸幅が5 nmの試料は8 nmに比べ温度消光が大きくなった。アレニウスの式から得た活性化エネルギーは計算で求めた重い正孔-軽い正孔の励起子分裂エネルギーに近いことから、5 nmの井戸では軽い正孔を経由した励起子のイオン化が生じやすくなっていると考えられる。