[10a-A23-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:15 〜 9:30

[10a-A23-2] 極性制御されたGaAs/Ge/GaAs{111}構造におけるバンドオフセット

〇大竹 晃浩¹、間野 高明¹、石田 暢之¹、三石 和貴¹、林 侑介¹、山岸 佑真²、中村 淳² (1.NIMS、2.電通大)

キーワード：

異原子価ヘテロ界面、分子線エピタキシー、表面・界面構造

極性を制御したGaAs/Ge/GaAs{111}界面におけるバンドオフセットを評価し、第一原理計算との比較により界面の原子配列および電子状態に関する知見を得ることを目的とする。