[10a-B31-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[10a-B31-11] µ-Transfer Printing法を用いた(111)/(-111)Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃転写膜のメモリスティブ特性

〇高橋 夏輝^1,2、村井 俊哉²、高 磊²、近藤 真矢¹、山田 智明¹ (1.名大工、2.産総研)

キーワード：

強誘電体、光メモリスタ、エピタキシャル薄膜

本研究では、強誘電体Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃ (PZT)薄膜の不揮発性光デバイス応用を目的とし、µ-Transfer Printing(µ-TP)法を用いたPZT転写膜におけるメモリスティブ特性の評価を行った。µ-TP法によってITO/glass基板上へ転写されたPZT薄膜において、電圧パルスの大きさと印加回数に依存する多段階の分極値変化が測定された。これは転写前のPZT薄膜と一致する結果であり、µ-TP法を用いたPZT薄膜の転写によるSiプラットフォーム上の集積による不揮発性光デバイス開発の可能性が示された。