講演情報
[10a-C212-5]プラズモニック導波路変調器のためのNi-InGaAsP合金の形成と光学特性の測定
〇森 温音1、小松 健太郎1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1 (1.東大院工)
キーワード：
シリコンフォトニクス、プラズモニック導波路、変調器
近年CPO向けシリコンフォトニクスの性能向上が求められ、III-V族半導体を用いたプラズモニックデバイスが研究されているが、作製プロセスが複雑であるという課題があり、金属との合金を利用するプロセスが提案されている。本研究では、InGaAsPを用いたプラズモニック電界吸収変調器に対しNi-InGaAsP合金を電極として用いるために、これまで光学特性が未解明であったNi-InGaAsP合金を作製して、プラズモニック導波路への適用性を実験的に評価した。