[10a-C310-1~14] CS.9 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

9:00 〜 9:15

[10a-C310-1] α-Al₂O₃(0001)基板上でのZr系金属有機構造体のエピタキシャル成長

〇中山 亮¹、岩本 俊太²、Chon Seoungmiin²、清水 亮太³、一杉 太郎¹ (1.東大院理、2.科学大、3.分子研)

キーワード：

金属有機構造体、エピタキシャル成長、気相成長

金属有機構造体（MOF）の異方的特性や界面機能を活用するには、基板上で結晶方位を制御するエピタキシャル成長が重要である。本研究では、真空蒸着と溶媒蒸気加熱を組み合わせた二段階プロセスにより、化学的安定性の高いZr(IV)系MOFであるUiO-66-(OH)₂を、表面修飾のないα-Al₂O₃(0001)基板上に成長させた。X線回折測定から、薄膜は(111)面直配向を示し、面内方位も基板と一致することを確認した。これにより、Zr(IV)系MOFのエピタキシャル成長を初めて実証した。