[10a-C310-1~14] CS.9 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

11:00 〜 11:15

[10a-C310-8] 中赤外炭酸ガスレーザーを用いた酸化物基板のin-situ加熱処理

〇藤田 貴啓^1,2、中嶋 陽太²、金子 良夫¹、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.東大東京カレッジ)

キーワード：

酸化物薄膜、表面処理

酸化物薄膜・ヘテロ界面の特性は基板表面の結晶品質に強く依存する。最近我々は、海外で注目を集めつつある中赤外炭酸ガスレーザーを用いた基板加熱機構を独自に導入した。サファイアおよびEu₂Ti₂O₇単結晶基板を1000℃以上に高温アニールし、in-situ処理のみによる明瞭なステップ・テラス構造の形成を確認した。本手法は従来のex-situ工程の課題を克服するとともに、パイロクロア型を含む様々な複酸化物への応用拡張が期待される。