講演情報
[10a-E101-10]方向制御ポーラスクラッドを用いたInGaN/GaN共振器構造の光励起特性
〇(M1)山口 龍真1、飯島 颯太郎1、菊池 昭彦1,2 (1.上大院理、2.上大半研)
キーワード：
窒化ガリウム
本研究では、電気化学エッチングにより形成した低屈折率ポーラスGaN層を用いたInGaN/GaN薄膜コアレーザについて、ポーラス方向が発振特性に与える影響を調査した。n++-GaN露出条件を制御することでポーラス形成方向を制御し、GaN/Air DBRを備えた共振器を作製して光励起評価を行った。その結果、ポーラス方向が共振器と平行な構造が垂直な構造に比べ発振閾値が低下した。