講演情報
[10a-E101-11]下部空気層を有するGaN/Air-DBR搭載InGaN/GaN薄膜コアレーザの室温光励起発振特性
〇飯島 颯太朗1、山口 龍真1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
キーワード：
窒化ガリウム
GaN/Air-DBRと空気層支持構造を導入したInGaN/GaN薄膜コアレーザを作製し、室温光励起発振特性を評価した。AlInN層を空気層に置換することでDBR反射率を69%から96%へ向上させ、短共振器領域における発振しきい値を大幅に低減した。共振器長22 μmでは1.30 MW/cm²の低しきい値発振を実現し、高反射率化の有効性を実証した。