[10a-E101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-E101-2] InGaNレーザ用導波路を用いた電界印加型位相シフタの作製と評価

〇小川 浩輝¹、和田 拓巳¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：

InGaNレーザ、マッハツェンダ干渉計

マッハツェンダ干渉計（MZI）を多段接続した光AIアクセラレータは、電子回路と比較して低消費電力かつ高速な演算デバイスとして注目されている。また、半導体レーザとMZIを同一基板で作製できれば、これらをモノリシックに集積し、さらに小型なシステムが構築できる。そして本研究では、InGaNレーザとMZIの集積化に向け、405 nm InGaNレーザ用導波路を用いた電界印加型位相シフタの作製・評価を行った。