[10a-E101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[10a-E101-3] GaN/SiON導波路の異種集積に基づく高出力波長可変単一モード青色モノリシック半導体レーザー

〇森岡 良輔¹、岡田 将典¹、芹川 昂寛¹、橋本 卓弥¹、小川 尚史¹ (1.日亜化学工業(株))

キーワード：

窒化ガリウム、半導体レーザー、光集積回路

GaN基板上に異種集積したGaN/SiON導波路を用いたExtended-DBRレーザーを作製した。試作品は460nm帯においてCW発振で単一縦モードを維持したまま、100mW超の高出力、約0.5nmの波長可変動作、100時間の連続駆動を達成した。本手法はGaN結晶品質と既存LDプロセスの利点を保持しつつ同一基板上で光機能素子の集積が可能で、窒化物半導体光集積の高機能化に有望なアプローチである。