[10a-E218-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[10a-E218-1] 反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ)を用いたウエハ端部のフォトレジストエッチングに関する研究

〇佐竹 隼輔¹、YU JIAWEN¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：

半導体、エッチング

ArとO₂を利用した反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ)のEdge Bead Removal (EBR)工程におけるフォトレジストエッチングの終点検出を目的として、サンプル表面からの反射光スペクトルをもとに膜厚を算出する膜厚測定システムをEBR工程用の装置に組み込み、実際にEBR工程において回転するサンプル表面の1周ごとの膜厚推移の光学的測定を試みた。