セッション詳細
[10a-E218-1~11]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
E218 (総合教育棟 E棟)
[10a-E218-1]反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ)を用いたウエハ端部のフォトレジストエッチングに関する研究
〇佐竹 隼輔1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
[10a-E218-2]反応性大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコンウェハ上SiO₂膜の超高速エッチング
〇表田 大河1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
[10a-E218-3]SiGe選択エッチングおよび追加Siエッチングによるダメージ評価
〇浅沼 治樹1、大谷 知輝1、伊藤 佑太1,2、渡辺 拓音1、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明治大MREL)
[10a-E218-4]MgO成膜温度がa-Ge/MgO 構造の固相成長に及ぼす影響
〇(B)山田 晴己1、淵脇 悠史1、光永 尚人1、高倉 健一郎1、佐道 泰造2、角田 功1 (1.熊本高専、2.九州大学)
[10a-E218-5]レーザー補助FLAによる非晶質Si膜の爆発的結晶化起点制御の条件探索
〇島袋 颯馬1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
[10a-E218-6]フラッシュランプアニール処理によるSiO2薄膜の高信頼化とその機構
〇京谷 和磨1、川合 遼一1、五島 一樹1、須賀 将平1、繁桝 翔伍2、谷村 英昭2、満田 勝弘2、加藤 慎一2、奈良 安雄1、野平 博司1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大、2.SCREEN SPE)
[10a-E218-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] Si表面微細構造のスケールが水/Si間の伝熱に及ぼす影響
〇尾上 潤1、小林 幹太朗1、榎木 陸人1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
[10a-E218-8]ナノ構造付与を付与したSiと水接触界面における熱流束の間接評価
〇小林 幹太朗1、尾上 潤1、新屋 洸人1、垣内 弘章1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
[10a-E218-9]枚葉式キュア装置におけるガス流速・温度のウェハ面内分布の解析
〇(M2)伊藤 榛紀1、関 琢磨1、間脇 武蔵1,2、黒田 理人1,2 (1.東北大工、2.東北大(NICHe))
[10a-E218-10]光ファイバーバンドルを用いた光学干渉非接触温度測定法(OICT)システムにおけるファイバーバンドルの構成に関する検討
〇八木 太陽1、小野 遥夢1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
[10a-E218-11]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたシリコンウェハのリアルタイム面内温度分布測定
〇小野 遥夢1、八木 太陽1、YU JIAWEN1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
