講演情報
[10a-E218-6]フラッシュランプアニール処理によるSiO2薄膜の高信頼化とその機構
〇京谷 和磨1、川合 遼一1、五島 一樹1、須賀 将平1、繁桝 翔伍2、谷村 英昭2、満田 勝弘2、加藤 慎一2、奈良 安雄1、野平 博司1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大、2.SCREEN SPE)
キーワード：
フラッシュランプアニール、FLA、SiO2
本研究では、熱非平衡性の高いミリ秒での加熱が可能なフラッシュランプアニール(FLA)処理を熱酸化膜に適用し、熱酸化膜を超える品質を実現できるかどうかに挑戦した。C-Vおよび角度分解硬 X 線光電子分光法(AR-HAXPES)測定の結果から、FLA 処理は高品質とされるISSG-SiO2薄膜においても構造緩和をもたらし、電気的信頼性を向上させるプロセスであることが確認された。