講演情報
[10a-E301-5]Pd/IGZOシナプストランジスタを使った室温H2ガスセンシングとリザーバ動作
〇(D)清水 篤1、井手 啓介1、安倍 勝美1、笹瀬 雅人2、片瀬 貴義1、平松 秀典1、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大、2.工学院大)
キーワード：
アモルファスIn-Ga-Zn-O、薄膜トランジスタ、水素ガスセンサ
H2センシングには200℃以上の高温が必要であるが、本研究では、チャネル上にPd極薄膜を導入したアモルファスIn-Ga-Zn-O（a-IGZO）薄膜トランジスタ（TFT）を作製することで、無加熱で感度指標100超の大きな感度を得た。また、履歴依存的な動的応答をシナプス動作として評価し、物理リザーバ計算によるパターン認識タスクへ適用した。その結果、約90%の高い正答率が得られた。