[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[10a-E301-6] Csをドープした酸化チタン薄膜トランジスタの試作と評価

〇宮澤 諒¹、髙見 翼¹、鈴木 啓太¹、三浦 正範¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工)

キーワード：

薄膜トランジスタ、原子層堆積法