[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-E301-9] 原子層堆積法を用いた結晶性Al添加In₂O₃極薄膜の合成と電気的特性

〇長嶋 泰雅¹、髙橋 崇典¹、星川 輝¹、浦岡 行治¹、原 康祐¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

原子層堆積法

本研究では，三次元集積デバイス応用に向け，プラズマ支援原子層堆積法により約5 nm厚の多結晶Al添加In2O3（IAO）薄膜を合成し，Al添加量が結晶性およびFET特性に及ぼす影響を評価した．super-cycle法によりIn:Al比を制御し，450 ℃熱処理後のin-plane XRD測定から，AlOx/InOx比の増加に伴う440ピークの高角度シフトおよび格子定数の減少を確認した．