セッション詳細

[10a-F211-1~8]13.3 絶縁膜技術

2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:00
F211 (フロンティア応用科学研究棟)

[10a-F211-1]Si 熱酸化膜の膜成長時に並行して進行する構造緩和;その面方位・酸化条件依存性

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)

[10a-F211-2]Si の融点近傍温度での酸化によって形成した SiO₂/Si(100)界面の電気的特性

〇松原 滉英1、神山 栄治2、竹内 和歌奈1、五島 敬史郎1、田岡 紀之1 (1.愛知工大、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)

[10a-F211-3]Cristobalite的SiO2中の余剰Si輸送に関する検討

〇影島 博之1、Seo Insung1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.東北大)

[10a-F211-4]大気圧・高温でのSiドライ酸化の解析:Loops A/B & L-Pモデルの検証

〇(M2)Wen Hengyu1、津田 泰孝2、岡部 優希1、吉越 章隆2、高桑 雄二3、小川 修一1 (1.日本大学、2.原子力機構、3.東北大学)

[10a-F211-6]硫酸を用いたSiO₂/Si 構造の作製の検討

〇鬼塚 翔平1、上野 智雄1、岩崎 好孝1 (1.農工大院工)

[10a-F211-7]大気圧低温プラズマジェットにより誘起されるポリシラザン由来SiO2
界面駆動型自己組織化とSi基板結晶方位依存性

〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)

[10a-F211-8]LPCVD SiN 膜における界面酸化膜のXPS解析

〇(M1C)武田 成瑚1、宮川 勇人1、高橋 尚志1、栗田 久嗣2、中村 真貴2、神垣 良昭3 (1.香川大学、2.ローム 浜松工場、3.EBL)