[10a-F211-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:15 〜 9:30

[10a-F211-2] Si の融点近傍温度での酸化によって形成した SiO₂/Si(100)界面の電気的特性

〇松原 滉英¹、神山 栄治²、竹内 和歌奈¹、五島 敬史郎¹、田岡 紀之¹ (1.愛知工大、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：

半導体、MOS