講演情報

9:30 〜 9:45

[10a-F211-3]Cristobalite的SiO₂中の余剰Si輸送に関する検討

〇影島博之¹、Seo Insung¹、秋山亨²、白石賢二³ (1.島根大、2.三重大、3.東北大)

シリコン酸化膜、余剰Si輸送、第一原理計算

今回、バルクcristobalite中の余剰Si輸送を取り上げ、等方的に歪ませた場合の計算を行い、Si-O-Siネットワークのトポロジーの違いがどのような影響を及ぼすのか検討を行った。余剰Siは従来と同様格子間SiO（I_SiO）であるとしている。